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晶体管
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IRGP50B60PD1PBF

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¥57.0876
57.0876
10
¥51.641
516.41
25
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1229.44
100
¥42.7253
4272.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001534060
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:37391

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