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晶体管
SI7121ADN-T1-GE3参考图片

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SI7121ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:34,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.938
293.8
500
¥2.4295
1214.75
3,000
¥2.4295
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
38 ns
商品其它信息
优势价格,SI7121ADN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
参考库存:17241
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥30.8151
参考库存:30813
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:880990
晶体管
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
250:¥32.657
参考库存:6467
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
1:¥562.0846
2:¥552.9429
5:¥541.1118
10:¥532.4221
参考库存:4374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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