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产品分类

无线和射频半导体
CGH35240F参考图片

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CGH35240F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
240 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440201
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.76 mm
长度
24.33 mm
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
23.62 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH35240F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH35240F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID TRANSPONDER SL89 MT
1:¥127.0911
2:¥125.0232
5:¥123.1022
10:¥119.102
参考库存:4570
无线和射频半导体
射频放大器 5-210MHz Gain 17.5dB NF 3.4dB
1:¥18.1365
25:¥16.9048
100:¥15.7522
200:¥14.5205
参考库存:4772
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:8579
无线和射频半导体
调节器/解调器 950-1575MHz Quadrature
1:¥116.7177
10:¥105.9601
25:¥99.5078
50:¥95.8918
750:¥68.1616
参考库存:7896
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz RF TRNSCVR W/ USB MCU/32K FLSH MEM
1:¥46.9515
10:¥43.1095
25:¥39.1884
100:¥35.2673
4,000:¥23.278
参考库存:29925
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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