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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-3
类型	High Linearity, Low Noise Gain Block Amplifier
技术	GaAs
工作频率	50 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	19 dBm
增益	14.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	2.2 dB
OIP3 - 三阶截点	39 dBm
工作电源电流	120 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC599
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	0.89 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	130.500 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC-MDB218	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 GaAs MMIC Sub-Harmonic mix, 54 - 64 GHz	50:¥452.0452 100:¥421.3092	参考库存:56515
HMC369LP3E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 X2 Active mult, 9.9 - 12.7 GHz Fout	46:¥131.4755 100:¥124.865 250:¥119.102 500:¥113.4181	参考库存:56520
MRF6VP121KHR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H	50:¥4,403.7004	参考库存:56525
QPB8858SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1.2GHz, 32dB Push-Pull MMIC	1:¥49.0985 100:¥49.0985 200:¥45.3356 500:¥41.5727	参考库存:56530
AFE7222IRGCR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 Dual 12B,65MSPS ADC	2,000:¥191.1056	参考库存:56535