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无线和射频半导体
T1G4012036-FS参考图片

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T1G4012036-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Id-连续漏极电流
12 A
最大漏极/栅极电压
- 2.9 V
Pd-功率耗散
117 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
工作频率
3.3 GHz
产品
GaN RF Power Transistors
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1096026
商品其它信息
优势价格,T1G4012036-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调谐器 TEF6638HW/HTQFP100//V106/TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥105.5759
10:¥97.1235
25:¥93.0555
100:¥81.9928
参考库存:3188
无线和射频半导体
射频放大器 1 GHZ WIDEBAND LOW-NOISE AMP
1:¥4.068
10:¥3.2318
100:¥2.1922
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.469
参考库存:31380
无线和射频半导体
调节器/解调器 50 MHz TO 1000 MHz Quadrature
1:¥80.8402
10:¥73.3822
25:¥68.93
50:¥66.3875
参考库存:1907
无线和射频半导体
射频检测器 Matched Dual-Channel 6GHz RMS Power Detector Measures VSWR
1:¥141.5438
25:¥113.1808
100:¥92.208
250:¥90.1288
500:¥86.671
参考库存:1879
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
1:¥80.682
10:¥72.6138
25:¥66.1615
50:¥61.3138
参考库存:3901
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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