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无线和射频半导体
A2T23H200W23SR6参考图片

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A2T23H200W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:57,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥521.5854
521.5854
5
¥511.9804
2559.902
10
¥498.7707
4987.707
25
¥488.9284
12223.21
150
¥433.5358
65030.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
51 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935347117128
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格,A2T23H200W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
参考库存:5806
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High VTG Charge Pump
1:¥45.7198
10:¥41.1094
25:¥38.646
50:¥36.3408
参考库存:4758
无线和射频半导体
衰减器 DC-2GHz 12dB VVA -40C 85C
1:¥26.3516
10:¥20.3626
100:¥18.5207
250:¥16.7466
3,000:¥11.6842
参考库存:18715
无线和射频半导体
射频检测器 70 dB, Log Det/Controller , 1 - 8000 MHz
1:¥157.6011
10:¥144.9225
25:¥138.9222
100:¥122.4016
参考库存:6342
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1280V-8AU AT86RF230-ZU
1:¥39.9568
参考库存:5309
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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