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无线和射频半导体
CGHV60170D参考图片

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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
优势价格,CGHV60170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
480:¥54.7146
960:¥54.3982
1,440:¥53.7089
参考库存:53926
无线和射频半导体
射频前端 868-925MHz FEM 868-930MHz AMI/AMR
100:¥32.883
200:¥27.5833
500:¥23.3571
1,000:¥16.9839
2,500:¥12.7577
参考库存:53931
无线和射频半导体
射频放大器 5GHZ, 22DBM PA IN 3X3X0.9MM QFN
3,000:¥5.7743
6,000:¥5.5596
9,000:¥5.3449
参考库存:684388
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.9GHz Gain 18dB
100:¥171.9634
200:¥157.6802
参考库存:53938
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 9.5 - 11.5 GHz
500:¥714.0696
参考库存:53943
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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