HMC785LP4ETR详细信息_HMC785LP4ETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	1.7 GHz to 2.2 GHz
转换损失——最大	10 dB
NF—噪声系数	8 dB
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-24
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	HMC785
技术	Silicon
商标	Analog Devices / Hittite
工作电源电流	160 mA
工作电源电压	5 V
Pd-功率耗散	1.08 W
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	1 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPF4518TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB	1:¥39.0302 25:¥34.578 250:¥31.7304 500:¥27.6624 750:¥27.6624	参考库存:8538
MAPS-010144-TR0500	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	相位探测器 / 移相器 2.3-3.8GHz IL:2.5dB 360 in 22.5 steps	1:¥183.9527 5:¥180.348 10:¥179.3423 25:¥165.5111 500:¥124.1757	参考库存:7355
SE5003L1-R	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5GHz 802.11ac Gain 32dB P1dB 32dBm	1:¥29.5834 10:¥26.4307 25:¥23.7413 100:¥21.6734 3,000:¥13.3679	参考库存:30842
T1G2028536-FS	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN	1:¥3,903.472 25:¥3,597.4228	参考库存:5044
TGA2526	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-20GHz LNA / Gain Block w/AGC	100:¥361.6113	参考库存:5921