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无线和射频半导体
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T1G4020036-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
260 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111631
商品其它信息
优势价格，T1G4020036-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1190ALP6NE
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 Wideband Dual-Dwn convtr/PLL/VCO MCM
1:¥239.9668
5:¥226.8362
10:¥221.3783
25:¥198.9365
参考库存:1936
MAAM-011258-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥21.2892
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥10.6785
参考库存:11763
EFR32MG1P233F256GM48-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, dual band, 256 kB, mesh, BLE, SRI,19.5 dBm, QFN-48
1:¥59.3928
10:¥56.1723
25:¥54.4773
50:¥52.8614
参考库存:3845
CGH27030F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
1:¥699.6282
参考库存:2142
ADMV1014ACCZ
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 High Band Point-to-Point Downconverter
1:¥1,018.13
5:¥999.6884
10:¥970.105
25:¥935.6061
参考库存:1994

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