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无线和射频半导体
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D1218UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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数量单价合计
1
¥1,074.8334
1074.8334
10
¥949.1322
9491.322
25
¥842.2455
21056.1375
50
¥798.2094
39910.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DD
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1218UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 CLRC66302HN/HVQFN32///REEL 13 Q1 NDP
1:¥63.7772
10:¥57.63
25:¥54.9406
100:¥47.7199
6,000:¥32.1937
参考库存:37390
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:5382
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥49.4036
10:¥44.4881
25:¥39.8777
50:¥37.4934
参考库存:8284
无线和射频半导体
射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz
1:¥2,460.1908
5:¥2,425.3755
10:¥2,356.1404
25:¥2,234.8914
参考库存:4006
无线和射频半导体
射频放大器 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage
1:¥133.6225
25:¥102.3554
100:¥79.9136
250:¥66.1615
2,500:¥52.093
参考库存:18603
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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