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无线和射频半导体
PTRA093302FC-V1-R2参考图片

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PTRA093302FC-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
250
¥768.40
192100
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
17.25 dB
输出功率
330 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 768 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTRA093302FC-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PCF7938XA/CAAB3800
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 IMMOBILE XPONDER IC
1:¥39.7308
10:¥33.8096
100:¥29.2783
250:¥27.8206
参考库存:22749
BGA7350,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 50 MHz to 250 MHz high linearity Si variable gain amplifier; 24 dB gain range
1:¥49.6409
10:¥42.1829
100:¥36.5781
250:¥34.6571
1,500:¥24.973
参考库存:10496
TGA2975-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB
1:¥1,037.34
25:¥791.452
100:¥607.036
参考库存:3163
CLRC66301HN,551
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频前端 Contactless readr IC IC
1:¥70.2295
10:¥63.4721
25:¥60.4776
100:¥52.5563
参考库存:10055
MRFE6VS25GNR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
1:¥230.6782
5:¥228.2939
10:¥212.7677
25:¥203.2418
500:¥164.98
参考库存:6907

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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