TGF2935详细信息_TGF2935相关参数PDF

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：46,508(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

优势价格，TGF2935的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LET9045STR	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package	600:¥237.6616	参考库存:48603
D1213UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE	100:¥325.7225 250:¥318.0385	参考库存:48608
F1162BNBGI8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	上下转换器 Dual RF Down Converting Mixer	2,500:¥60.9296	参考库存:48613
CS230014-CZZR	Cirrus Logic	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL IC General Purpose PLL LCO	4,000:¥23.7413	参考库存:48618
SC1905A-00A00E	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 225MHz to 3800MHz RF Power Amplifier Linearizer (RFPAL)	500:¥1,201.4725	参考库存:17034

深圳市维基鸿电子有限公司

电话：13148740189

手机：13590238352

传真：0755-82563613

Q Q:

地址：赛格科技园2栋1008

微信联系我们

产品分类