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无线和射频半导体
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PTFB183404E-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-8
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB183404E-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX3518ETP+
Maxim Integrated
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25:¥15.2098
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D10040220GTH
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BFP 720ESD H6327
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1:¥4.2262
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RF6509SR
Qorvo
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100:¥65.54
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MRF586
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥80.682
10:¥67.235
25:¥60.5454
50:¥53.788
参考库存:6365

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    50万现货SKU

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