HMC636ST89详细信息_HMC636ST89相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：4,112(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	否
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-3
类型	High Linearity, Low Noise Gain Block Amplifier
技术	GaAs
工作频率	0.2 GHz to 4 GHz
P1dB - 压缩点	22 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	2.5 dB
OIP3 - 三阶截点	39 dBm
工作电源电流	155 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC636
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
Pd-功率耗散	0.86 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	130.500 mg

商品其它信息

优势价格，HMC636ST89的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LET9045	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD	1:¥386.7312 5:¥378.0528 10:¥363.295 25:¥351.543	参考库存:57119
XZ1004-QT-0G0T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 475-625MHZ 3.3VOLT 75 OHM	1:¥43.3355 10:¥33.5045 100:¥30.4309 250:¥27.5833 3,000:¥19.21	参考库存:57124
MKW31Z512VHT4R	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC MKW31Z512VHT4/HVQFN48R///REEL 13 Q1 DP	1:¥46.104 10:¥41.6518 25:¥37.4256 100:¥34.4989 2,000:¥25.199	参考库存:57129
MMRF2006NT1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1805-2170 MHz 2.4W Avg. 28 V	1,000:¥227.1413	参考库存:57134
PH1214-80M	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管	1:¥2,623.9278 2:¥2,580.129 5:¥2,537.7992 10:¥2,496.8367 25:¥2,406.8548	参考库存:57139