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无线和射频半导体
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D5029UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-50V-175MHz PP
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
21 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D5029UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NRF24AP2-8CHQ32-R
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
射频收发器 SNGL-CHP ANT SOL W/8-CH
1:¥53.3247
10:¥42.8722
100:¥39.0302
250:¥35.1882
4,000:¥23.052
参考库存:28197
CY8C4127LQI-BL483
Cypress Semiconductor
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射频微控制器 - MCU PSoC 4 BLE CY8C41x
1:¥48.1832
10:¥43.0304
25:¥38.7251
100:¥35.2673
参考库存:3400
A19-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 11.5dB
1:¥1,111.2646
参考库存:28204
LET9045C
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无线和射频半导体
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1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:28209
SI4431-B1-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
1:¥32.0468
10:¥31.4253
25:¥30.8942
50:¥30.2727
2,500:¥29.5043
参考库存:28214

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