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无线和射频半导体
PTFC260202FC-V1-R250参考图片

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PTFC260202FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥414.936
103734
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
20 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2495 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC260202FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFX1K80N-88MHZ
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:55903
RFUV1702SR
Qorvo
无线和射频半导体
上下转换器 RFUV1702
1:¥413.0941
25:¥351.1588
100:¥299.5178
参考库存:55908
CA231
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-250MHz NF 1.7dB Pout 10dBm SMA Conn.
1:¥3,731.7346
10:¥3,598.4172
25:¥3,465.1789
参考库存:55913
STAC2932BW
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:55918
MRFE8VP8600HSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
50:¥1,064.3131
参考库存:55923

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    50万现货SKU

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