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无线和射频半导体
MRFE8VP8600HSR5参考图片

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MRFE8VP8600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,163.1316
1163.1316
5
¥1,140.3056
5701.528
10
¥1,087.1278
10871.278
25
¥1,064.3131
26607.8275
50
¥1,064.3131
53215.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935345546178
单位重量
13.264 g
商品其它信息
优势价格,MRFE8VP8600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .1-2.7GHz GaAs Gain 14.4dB
1:¥59.9352
10:¥56.9407
100:¥52.4772
250:¥46.4882
1,500:¥20.1366
参考库存:5833
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
1:¥103.4289
10:¥95.0556
25:¥90.8972
100:¥80.2978
1,000:¥63.619
参考库存:8075
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥29.041
10:¥25.9674
25:¥23.3571
100:¥21.2892
参考库存:5802
无线和射频半导体
射频放大器 DC-10GHz Gain 12.7dB P1dB 12.6dBm@2GHz
1:¥26.9731
25:¥20.6677
100:¥16.1364
250:¥13.3679
500:¥11.9893
1,000:¥10.5994
参考库存:13289
无线和射频半导体
射频放大器 0.1 - 1GHz 34dBm, 31dB
1:¥75.4614
25:¥57.856
100:¥45.1774
250:¥37.4934
2,500:¥25.8205
参考库存:26301
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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