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无线和射频半导体
A2T09D400-23NR6参考图片

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A2T09D400-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:46,176(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥942.6008
141390.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 70 V
增益
17.9 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S-7
封装
Reel
工作频率
716 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935318726528
单位重量
5.285 g
商品其它信息
优势价格,A2T09D400-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 PQJ7911AHN/HVQFN32//C0C/REEL 7 Q1 DP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
1,500:¥13.6052
参考库存:7913
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC / HF RFID Reader IC
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:15810
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.8GHz SSG 28dB P1dB 31dBm
1:¥221.4574
25:¥195.716
100:¥172.89
250:¥159.0588
500:¥146.3802
参考库存:2082
无线和射频半导体
射频放大器 .05-6GHz SSG 15.5dB NF 4.3dB
1:¥37.1092
25:¥28.4308
100:¥22.2045
250:¥18.4416
500:¥16.5206
1,000:¥14.5205
参考库存:53674
无线和射频半导体
射频混合器 .3-2.5GHz Gain -2dB NF 12dB Hi
1:¥78.6028
25:¥60.2403
100:¥47.0984
250:¥39.0302
2,500:¥26.894
参考库存:8766
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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