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无线和射频半导体
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D2021UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2021UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SE2574BL-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz 802.11b/g/n -40C +85C SSG 27dB
1:¥8.2264
10:¥6.6444
100:¥5.1076
500:¥4.4974
3,000:¥3.164
参考库存:5370
SKY66184-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 High Effi 2100-2200MHz 23dBm PA for DOT
1:¥91.0554
10:¥82.377
25:¥75.8456
50:¥71.5403
2,500:¥52.6354
参考库存:4362
NRF8001-R2Q32-T
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLUETOOTH LW ENERGY SLAVE CONNCTIVTY-CHP
1:¥32.657
10:¥26.2838
100:¥23.8995
250:¥21.5943
参考库存:5974
TDA7100HTMA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频发射器 ASK/FSK TRANSMITTER 10-PIN PKG
1:¥8.0682
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
1,000:¥3.7064
5,000:¥3.7064
参考库存:14581
SBB1089Z
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-850MHz SSG 15.5dB NF 3.5dB max.
1:¥40.8043
25:¥31.2784
100:¥24.4306
250:¥20.2835
500:¥18.2156
1,000:¥15.9782
参考库存:12553

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    50万现货SKU

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