HMC415LP3ETR详细信息_HMC415LP3ETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	4.9 GHz to 5.9 GHz
P1dB - 压缩点	22.5 dBm
增益	20 dB
工作电源电压	3 V
NF—噪声系数	6 dB
OIP3 - 三阶截点	31 dBm
工作电源电流	285 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC415
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
Pd-功率耗散	1.105 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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