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无线和射频半导体
RFM01U7P(TE12L,F)参考图片

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RFM01U7P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
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数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.8368
1283.68
500
¥11.30
5650
1,000
¥9.379
9379
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
1.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM01
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，RFM01U7P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PAT0510S-C-5DB-T10
Susumu
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衰减器 5dB 50ohm
1:¥0.92208
10:¥0.79891
25:¥0.71416
100:¥0.62263
10,000:¥0.34578
参考库存:65489
HMC656LP2ETR
Analog Devices / Hittite
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衰减器 Fixed Passive SMT atten, DC - 25 GHz
1:¥50.4884
10:¥45.4147
100:¥37.1883
250:¥35.2673
500:¥31.6626
参考库存:3836
CY23EP09ZXI-1H
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB IND
1:¥125.4752
10:¥114.0283
25:¥105.4968
50:¥96.8975
参考库存:5328
SE2623L-R
Skyworks Solutions, Inc.
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射频放大器 802.11gn High Power PA in 3x3 QFN
1:¥21.7412
10:¥17.515
100:¥15.7522
250:¥13.9894
3,000:¥8.9948
参考库存:4555
MAX2471EUT+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 10MHz - 500MHz VCO Buffer Amp
1:¥21.8203
10:¥19.5942
25:¥18.5207
50:¥15.4471
2,500:¥9.7632
参考库存:6347

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