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无线和射频半导体
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PTVA102001EA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1046.8659
50
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1600 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA102001EA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY67023-396LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 2.0-3.0GHz NF .89dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:4327
ATMEGA1280R212-AU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1280V-8AU AT86RF212-ZU
1:¥125.7916
10:¥114.3334
25:¥105.8132
50:¥101.2706
参考库存:3534
TGA2611-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz NF 1 dB P1dB 18 dBm
1:¥868.292
25:¥722.296
100:¥607.036
参考库存:3196
BGA2800,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 6CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 10.5mA 3.2GHz
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.54579
参考库存:27403
ADF4360-1BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 2050-2450
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
参考库存:4425

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