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无线和射频半导体
TGF2929-HM参考图片

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TGF2929-HM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
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数量单价合计
25
¥2,600.5707
65014.2675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
输出功率
132 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
140 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
DC to 3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
TGF
商标
Qorvo
开发套件
TGF2929-HM EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1135635
商品其它信息
优势价格，TGF2929-HM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8P29300HR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
150:¥2,665.8847
参考库存:55653
MRF8HP21080HR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
1:¥478.0239
5:¥464.0345
10:¥454.1244
25:¥435.0726
250:¥385.7368
参考库存:55658
QPC6082SR
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SP8T IL .4dB IIP3 69dBm
100:¥10.7576
参考库存:55663
TGL2223
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 .1-31GHz Attn 15.5dB 5 Bit LSB .5dB GaN
100:¥151.2957
300:¥137.7018
500:¥125.3283
参考库存:55668
RFFC2072ATR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频混合器 100- 2700 MHz LO
2,500:¥53.9462
参考库存:55673

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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