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无线和射频半导体
PTFB213208FV-V2-R2参考图片

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PTFB213208FV-V2-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:48,815(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213208FV-V2-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 LV FM IF SYSTEM -40TO+85
1:¥42.9513
10:¥36.499
100:¥31.6626
250:¥30.0467
2,500:¥21.5943
参考库存:13710
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥2,603.8025
参考库存:1262
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3dB Gain 15dB 75 Ohm
1:¥32.0468
10:¥24.747
100:¥22.5096
250:¥20.3626
3,000:¥14.1363
参考库存:26606
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU CC3220 WI-FI MODULE LARGE REEL
1:¥152.6065
5:¥146.3011
10:¥140.7754
25:¥134.3909
800:¥109.1128
参考库存:15249
无线和射频半导体
射频放大器 LNA w/ bypass, 4.4-6.0 GHz, 1.8V logic
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥18.0574
参考库存:13721
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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