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无线和射频半导体
AFT05MP075GNR1参考图片

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AFT05MP075GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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库存:6,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥165.8953
165.8953
10
¥152.5274
1525.274
25
¥145.77
3644.25
100
¥128.8652
12886.52
500
¥111.2598
55629.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
40 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 150 MHz
系列
AFT05MP075N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
7.3 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
零件号别名
935311172528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,AFT05MP075GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 &frac12 Watt hi IP3 amp , 1.7 - 2.5 GHz
1:¥84.0607
10:¥77.3033
25:¥74.0715
100:¥65.314
参考库存:1762
无线和射频半导体
射频混合器 Dual WB Active Mixer in XFCB3 "DRx"
1:¥121.7914
10:¥110.5705
25:¥103.8922
50:¥100.0502
1,500:¥71.077
参考库存:4004
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.5312
10:¥1.8871
100:¥0.70738
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.46104
参考库存:71346
无线和射频半导体
PIN 二极管 .1-1500MHz .7pF Min Vr 600Vdc
1:¥42.262
10:¥34.578
100:¥30.736
250:¥27.6624
1,500:¥21.5152
参考库存:11483
无线和射频半导体
射频放大器 DistributedAmplifier Sample Pack
2:¥2,052.7806
6:¥2,023.7396
10:¥1,965.9514
26:¥1,864.7486
参考库存:1325
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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