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无线和射频半导体
T1G4004532-FL参考图片

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T1G4004532-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
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数量单价合计
1
¥1,844.16
1844.16
25
¥1,664.3544
41608.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
技术
GaN SiC
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
高度
4.064 mm
长度
20.3 mm
宽度
5.842 mm
商标
Qorvo
闸/源截止电压
- 2.9 V
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
36
子类别
Transistors
零件号别名
1092442
商品其它信息
优势价格,T1G4004532-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 128 kB (RAM) 31GPIO SoC
1:¥73.5404
10:¥69.4611
25:¥67.461
50:¥65.314
100:¥61.246
参考库存:4141
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:17603
无线和射频半导体
衰减器 Attn 5dB RL 25dB Flatness .8dB
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:4345
无线和射频半导体
射频放大器 A3I35D012WN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
1:¥277.1664
5:¥274.3188
10:¥255.6512
25:¥244.193
500:¥198.2472
参考库存:5347
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:4849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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