BGA2866,115详细信息_BGA2866,115相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
类型	MMIC Wideband Amplifier
工作频率	0 Hz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	4 dBm
增益	24.3 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	3.9 dB
OIP3 - 三阶截点	12 dBm
工作电源电流	17.4 mA
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
带宽	3.3 GHz
商标	NXP Semiconductors
通道数量	6 Channel
Pd-功率耗散	200 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935290056115
单位重量	5.464 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
XRT8000ES	MaxLinear	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL WAN CLOCK	1:¥1,622.3184 2:¥1,487.8484 5:¥1,398.488 10:¥1,376.1253	参考库存:50183
EZR32HG320F32R68G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, USB, +20 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU	1:¥34.578 10:¥32.657 25:¥31.6626 50:¥30.736	参考库存:50188
A2T09VD300NR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP	500:¥764.0156	参考库存:50193
D2220UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE	1:¥222.2936 10:¥196.2471 25:¥178.0428 50:¥158.5955	参考库存:50198
ADF4007BCPZ-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL High Freq Divider/ Synthesizer	1,500:¥20.7468	参考库存:50203