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无线和射频半导体
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PTFC262157FH-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥945.6744
236418.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288G-4/2
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC262157FH-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NB4N507ADG
ON Semiconductor
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锁相环 - PLL 3.3V/5V PECL Clock Synthesizer
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:5358
TAT7472A1F
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100:¥137.7696
250:¥109.271
1,000:¥71.2352
参考库存:4760
HMC688LP4E
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1:¥150.2222
10:¥138.086
25:¥132.3908
100:¥116.6386
参考库存:4922
HMC564
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 7.0 - 13.5 GHz
25:¥284.9973
100:¥266.6348
250:¥257.4931
参考库存:4784
ARF476FL
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:4621

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