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无线和射频半导体
BFP840ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP840ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
80 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840ESD BFP BFP84ESDH6327XT H6327 SP000943010
单位重量
6.400 mg
商品其它信息
优势价格,BFP840ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥350.8537
100:¥345.4749
250:¥337.4067
参考库存:51286
无线和射频半导体
衰减器 7.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:51291
无线和射频半导体
RFID应答器 MF1P2121DA4/PLLMC//02B/REEL 13 Q1 NDP
17,500:¥4.633
参考库存:51296
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 5 - 7 GHz
500:¥114.8758
参考库存:51301
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF3340EHN/HVQFN40//00320/REEL 13 Q1 DP
4,000:¥67.6192
参考库存:51306
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    50万现货SKU

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