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无线和射频半导体
CGHV1J006D-GP4参考图片

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CGHV1J006D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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数量单价合计
10
¥245.2778
2452.778
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.8 A
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
840 um
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1J006D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 .5-12GHz Ls=.4nH 100W Pk
1:¥23.4362
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.221
3,000:¥9.9101
参考库存:7570
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
参考库存:40072
IDT
无线和射频半导体
衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
1:¥60.8618
10:¥55.7881
25:¥50.7144
50:¥48.1832
2,500:¥32.9621
参考库存:15699
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
1:¥2,507.4474
参考库存:1781
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz/sub-GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +20 dBm, QFN-48, BLE, proprietary
1:¥61.246
10:¥57.856
25:¥56.1723
50:¥54.3982
参考库存:3218
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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