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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-24
类型	Driver Amplifier
技术	GaAs
工作频率	5.5 GHz to 17 GHz
P1dB - 压缩点	23 dBm
增益	30 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	10 dB
OIP3 - 三阶截点	30 dBm
工作电源电流	180 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC633G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	22 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	0.99 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADRV9008BBCZ-2	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Integrated Dual RF	1:¥2,172.9561 5:¥2,117.1002 10:¥2,033.5706 25:¥1,993.0036	参考库存:3171
BFR 740L3RH E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor	1:¥6.5314 10:¥5.4692 100:¥3.5256 1,000:¥2.825 15,000:¥2.2035	参考库存:86003
ARF1519	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥5,122.4595 5:¥4,800.805	参考库存:3245
MMRF5014H-500MHZ	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK	1:¥9,605.00 5:¥9,451.4782	参考库存:3162
MAX2655EXT+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1575MHz/1900MHz Variable-IP3	1:¥15.142 10:¥14.2945 25:¥11.4469 50:¥10.8367 2,500:¥7.4354	参考库存:14469