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无线和射频半导体
AFT09MS007NT1参考图片

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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
1,000
¥17.1308
17130.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,AFT09MS007NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Dual Power Freq Synthesizer
1:¥43.4146
10:¥39.1093
25:¥36.8041
50:¥34.578
参考库存:4041
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.25pF 200Volt -65C +175C
100:¥11.3678
300:¥9.9892
500:¥9.379
1,000:¥7.684
参考库存:5533
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:3575
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6.0GHz DPDT GaAs IL .6dB Iso 23.5dB
1:¥6.3054
10:¥5.6952
25:¥4.9155
100:¥4.4409
3,000:¥3.6612
参考库存:44962
无线和射频半导体
射频收发器 Low-Power 2.4 GHz 射频收发器
1:¥21.2892
10:¥19.1309
100:¥15.594
250:¥14.6787
参考库存:9954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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