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无线和射频半导体
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NSVF3007SG3T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
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4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.5594
4678.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70FL-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
30 mA
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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