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无线和射频半导体
BFU530R参考图片

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BFU530R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:31,544(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
3,000
¥1.1413
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067703215
单位重量
9 mg
商品其它信息
优势价格,BFU530R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 RF Front-End Transmit Power Amp
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
250:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:6580
无线和射频半导体
射频检测器 100kHz to 1GHz RF Pwr Detector
1:¥29.1992
25:¥19.3682
100:¥15.9782
250:¥15.2098
500:¥13.8312
1,500:¥13.5261
参考库存:26297
无线和射频半导体
射频接收器 Sonar Ranging Rcvr
1:¥57.9351
10:¥52.4094
25:¥48.4883
100:¥43.3355
参考库存:5104
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 1.2GHz to 1.7GHz Downconv
1:¥155.827
10:¥144.8434
25:¥137.3176
50:¥113.6441
参考库存:4886
无线和射频半导体
锁相环 - PLL EL4585CSZ HORIZONTAL GENLOCK
1:¥83.9138
10:¥77.1451
25:¥73.9924
100:¥65.1558
参考库存:6648
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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