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无线和射频半导体

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MRF6S20010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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数量单价合计
1
¥297.4499
297.4499
5
¥282.387
1411.935
10
¥277.5506
2775.506
25
¥251.5719
6289.2975
500
¥214.6096
107304.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRF6S20010N
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935313769528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，MRF6S20010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TRF37B75IDSGR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频放大器 40 to 4000 MHz 15dB RF Gain Block
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9834
3,000:¥5.3901
参考库存:18280
LT5521EUF#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Very Hi Linity Active Mixer
1:¥91.982
25:¥61.0878
100:¥50.4884
250:¥47.9459
参考库存:4682
MMBT5179
ON Semiconductor / Fairchild
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:187874
F2912NCGI8
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC High Reliability ISO Sgl-Pole DBL Thrw RF
1:¥36.499
10:¥32.657
25:¥29.3574
100:¥26.7358
4,000:¥16.6788
参考库存:9656
SKY65364-21
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC Smart Energy SIP
1:¥22.5096
10:¥20.2835
25:¥18.2834
50:¥17.3681
4,500:¥11.2209
参考库存:7978

  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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