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无线和射频半导体
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:1,746(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
1:¥46.8724
10:¥42.1829
25:¥39.7308
50:¥37.3465
500:¥30.1936
参考库存:5450
无线和射频半导体
预定标器 14GHz Prog Integer Divider
1:¥1,024.2772
2:¥1,004.1406
5:¥970.6474
10:¥957.3473
参考库存:2912
无线和射频半导体
RFID应答器 24 mm Circular Inlay R/O
1:¥29.041
10:¥26.0465
100:¥21.4361
250:¥20.0575
参考库存:14584
无线和射频半导体
射频放大器 2.496 - 2.69 GHZ 27DBM 7X7 MCM LINEAR SM
1:¥79.3034
10:¥72.772
25:¥66.1615
50:¥59.551
2,500:¥40.9512
参考库存:13411
无线和射频半导体
射频收发器 433/ 886 MHz Trans
1:¥22.2045
10:¥21.8994
25:¥18.5207
100:¥17.7523
4,000:¥17.7523
参考库存:22893
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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