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无线和射频半导体
LET9045F参考图片

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LET9045F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
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数量单价合计
1
¥639.3088
639.3088
5
¥627.5568
3137.784
10
¥599.2729
5992.729
25
¥579.2945
14482.3625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
70 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
LET9045F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
4.536 g
商品其它信息
优势价格，LET9045F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC441LC3BTR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
100:¥360.0745
200:¥349.7802
参考库存:30380
ADG901BRMZ
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC SGL WB 43dB Iso 1GHz CMOS 1.65-2.75V
1:¥24.8148
10:¥22.1254
25:¥19.9784
50:¥19.0518
参考库存:6733
BFP 620F H7764
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
3,000:¥1.3899
参考库存:16155
HMC291SE
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 2-Bit Digital Attenuator
1:¥43.1886
10:¥38.4991
25:¥34.6571
50:¥33.0412
参考库存:5012
HMC480ST89
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 5 GHz
1:¥49.8669
10:¥44.7932
100:¥36.725
250:¥34.804
参考库存:5104

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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