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无线和射频半导体
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2SK3756(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
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12.9046
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¥10.3734
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100
¥8.2942
829.42
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3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
7.5 V
增益
12 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3756
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.95 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
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1:¥56.9407
10:¥51.4828
25:¥48.8725
50:¥44.7932
3,000:¥31.5044
参考库存:20030

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