MMZ38333BT1详细信息_MMZ38333BT1相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-24
类型	Linear Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	3400 MHz to 3800 MHz
P1dB - 压缩点	31.7 dBm
增益	37.9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
测试频率	3600 MHz
OIP3 - 三阶截点	-
工作电源电流	376 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	NXP / Freescale
通道数量	1 Channel
输入返回损失	18.1 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935337471147
单位重量	33.825 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC455LP3E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 &frac12 Watt hi IP3 amp , 1.7 - 2.5 GHz	1:¥84.0607 10:¥77.3033 25:¥74.0715 100:¥65.314	参考库存:1762
ADL5802ACPZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 Dual WB Active Mixer in XFCB3 "DRx"	1:¥121.7914 10:¥110.5705 25:¥103.8922 50:¥100.0502 1,500:¥71.077	参考库存:4004
BFR 181W H6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.5312 10:¥1.8871 100:¥0.70738 1,000:¥0.54579 3,000:¥0.46104	参考库存:71346
MA4P7006F-1072T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 .1-1500MHz .7pF Min Vr 600Vdc	1:¥42.262 10:¥34.578 100:¥30.736 250:¥27.6624 1,500:¥21.5152	参考库存:11483
HMC637A-SX	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DistributedAmplifier Sample Pack	2:¥2,052.7806 6:¥2,023.7396 10:¥1,965.9514 26:¥1,864.7486	参考库存:1325