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无线和射频半导体
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MRFX1K80HR5

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
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1
¥1,908.8638
1908.8638
5
¥1,868.5906
9342.953
10
¥1,828.1818
18281.818
25
¥1,782.0778
44551.945
50
¥1,735.8156
86790.78
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
25.1 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
2247 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935351859178
单位重量
13.159 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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