HMC639ST89ETR详细信息_HMC639ST89ETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-4
类型	High IP3, Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	0.2 GHz to 4 GHz
P1dB - 压缩点	21 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	2.3 dB
OIP3 - 三阶截点	38 dBm
工作电源电流	70 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC639
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	1.16 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	1 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATN3580-20	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 Attn=20db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz	100:¥34.352 300:¥31.4253 500:¥28.589 1,000:¥25.7414	参考库存:2601
LT5558EUF#PBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 900MHz Direct Quadrature Modulator w/ Hi-Z, 2.1V DC CM	1:¥99.4287 25:¥66.0033 100:¥54.5564 250:¥51.867	参考库存:2253
TGA2583-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.7-3.7GHz 10W Gain 33dB GaN	1:¥1,290.912 25:¥983.552 100:¥753.032	参考库存:2430
MRFE6VP5600HR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H	1:¥1,020.277 5:¥1,000.5359 10:¥967.4947 25:¥926.5322 150:¥830.7986	参考库存:2402
ATSAMR21G17A-MF	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 128K 125C	1:¥38.7251 10:¥38.194 25:¥35.3464	参考库存:4189