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无线和射频半导体
MRF150MP参考图片

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MRF150MP

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
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数量单价合计
1
¥962.2628
962.2628
2
¥935.6852
1871.3704
5
¥914.2378
4571.189
10
¥887.502
8875.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
高度
6.58 mm
长度
26.04 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
24.77 mm
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
4 mhos
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF150MP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC1110F32RHHT
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Sub-1GHz SoC w/ MCU & 16kB Flash memory
1:¥46.9515
10:¥42.1829
100:¥34.4989
250:¥32.431
500:¥29.3574
参考库存:12653
MASW-004100-11930W
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-26000MHz -65C +125C Iso 65dB
50:¥102.2763
参考库存:5480
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODES
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
15,000:¥0.64523
参考库存:226732
HMC902
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier SMT,5-10 GHz
50:¥286.6132
100:¥268.0925
250:¥258.8717
参考库存:5234
BFP 650 H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:16506

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    50万现货SKU

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