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无线和射频半导体
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D2202UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥401.263
20063.15
100
¥390.189
39018.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2202UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 2 - 12 GHz
1:¥787.1467
5:¥761.7895
10:¥746.5006
25:¥716.0697
100:¥675.4236
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无线和射频半导体
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1:¥137.3854
10:¥135.3966
25:¥114.4916
100:¥104.0391
参考库存:4154
无线和射频半导体
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1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:6426
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1:¥500.3075
5:¥492.3862
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参考库存:2848
无线和射频半导体
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1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:52140
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    50万现货SKU

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