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分立半导体

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FD800R33KF2C

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数量单价合计
1
¥14,464.1356
14464.1356
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
1300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
9.6 kW
封装 / 箱体
IHM190
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
190 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
零件号别名
FD800R33KF2CNOSA1 SP000100606
商品其它信息
优势价格,FD800R33KF2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
4,000:¥4.7573
参考库存:30740
分立半导体
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:4872
分立半导体
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.7856
2,500:¥5.7856
参考库存:15089
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
1:¥26.2838
10:¥22.3627
100:¥19.3682
250:¥18.3625
2,500:¥13.221
5,000:查看
参考库存:14546
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:16343
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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