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分立半导体
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RM50P30DF

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  • MOSFET DFN MOSFET
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库存：36,645(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥3.2318
16159
10,000
¥2.9493
29493
25,000
¥2.9041
72602.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
84 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，RM50P30DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N6301
Microsemi
分立半导体
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:42033
1N4932
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥592.3573
2:¥580.6844
5:¥574.379
10:¥556.4007
参考库存:42038
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:42043
2N1890
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥189.7948
5:¥181.2633
10:¥175.5794
25:¥161.364
参考库存:42048
F4-100R06KL4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK
1:¥878.2021
5:¥862.0657
10:¥823.2615
25:¥795.8364
参考库存:42053

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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