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分立半导体
STW58N60DM2AG参考图片

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STW58N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存：4,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.1562
73.1562
10
¥66.1615
661.615
25
¥63.0879
1577.1975
100
¥54.7146
5471.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW58N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW58N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMAJ4754A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1.0W 39V
1:¥4.3844
10:¥2.7459
100:¥1.4803
500:¥1.1865
7,500:¥0.69156
22,500:查看
参考库存:38688
MMBT100
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.8419
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:43995
AZ23C10-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23452
TZX4V7A-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.5W 10%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:151844
2SCR502UBTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:32246

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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