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分立半导体
IGB30N60T参考图片

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IGB30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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库存:8,054(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.6676
186.676
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.368
3842
1,000
¥11.6051
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IGB30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
3,000:¥2.0001
参考库存:27829
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥4.6104
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:27834
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:27839
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
99,000:¥0.2147
参考库存:27844
分立半导体
桥式整流器 1000 Volt 25 Amp Glass Passivated
1:¥33.8887
10:¥28.1257
100:¥23.1311
200:¥22.4418
参考库存:27849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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