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分立半导体
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IGB30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.6676
186.676
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.368
3842
1,000
¥11.6051
11605.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IGB30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HSM340J/TR13
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
3,000:¥8.1473
6,000:¥7.8422
9,000:¥7.2659
参考库存:47099
JANS1N4977
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,049.8604
参考库存:47104
JAN1N5822/TR
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥785.463
参考库存:47109
JANTXV1N5526DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥374.7532
250:¥353.7691
参考库存:47114
MSB204S
Rectron
分立半导体
桥式整流器 MSB-S,2.0A,400V Bridge Rectifier
3,000:¥1.4125
6,000:¥1.08367
9,000:¥0.81473
12,000:¥0.78422
参考库存:47119

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    50万现货SKU

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