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分立半导体
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ZTD09N50DE6QTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
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1
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6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
3,000
¥2.9493
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
24 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTD09N50
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格，ZTD09N50DE6QTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52C27-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.41W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:28983
DMN31D6UT-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:28988
MMBZ4685-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:28993
GDZ5V6B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:28998
MMBZ5261C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:29003

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