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分立半导体
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CSD18513Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存：3,618(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.876
587.6
250
¥5.876
1469
500
¥5.1867
2593.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18513Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18513Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B27P-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
30,000:¥0.83733
参考库存:29094
BZT03D82-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 600W 10%
25,000:¥1.5368
参考库存:29099
PTFB072707FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥914.396
参考库存:29104
PTVA102001EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
参考库存:5238
SMAJ5929BE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:29111

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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