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分立半导体
STF18N60DM2参考图片

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STF18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STF18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
商品其它信息
优势价格,STF18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Rectifier FRD 40V-VRM 40V-VR SINGL
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4125
参考库存:43509
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1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
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MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
800:¥15.9782
2,400:查看
参考库存:43519
分立半导体
稳压二极管 3.9V 40MA
1:¥3.3787
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
1,500:¥1.11418
参考库存:43524
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching
1:¥47.9459
10:¥38.4991
25:¥37.8098
100:¥35.1204
参考库存:43529
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